Merhaba Misafir

Dört Ton Küçük İşaret Girişli Gan Hemt Transistörün Farklı Sıcaklıklardaki Asimetrik Genlik Değişimi

PDF

Bu çalışmada, GaN HEMT transistörün sıcaklığa bağlı analizi yapılarak Volterra güç serisi üçüncü dereceye kadar açılmış ve küçük işaret transfer fonksiyonları (H1, H2, H3) elde edilmiştir. Birinci çekirdek küçük işaret transfer fonksiyonu (H1) kullanılarak 100K, 300K ve 600K sıcaklık değerlerinde dört-tonlu küçük işaret girişinden elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenleri, geçit-kaynak (Gate source, Vgs) gerilimine bağlı olarak analiz edilmiştir. Çalışmada IMD frekans bileşenleri iki grupta irdelenmiş; birinci grup bileşenler (1- 6) ve ikinci grup bileşenler ise (7-17) olarak alınmış ve gruplar arası ve grup içi asimetrik genlik değişimi, kritik frekans bölgesi, bant genişliği ve IMD haberleşme de değerlendirilmiştir.

Yayınlandığı Kaynak : Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi
  • Yıl : 2010
  • Cilt : 25
  • ISSN : 1300-1884
  • Sayı : 4
  • eISSN : 1304-4915
  • Sayfa Aralığı : 0-0
  • IO Kayıt No : 21352
  • Yayıncı : Gazi Üniversitesi Mühendislik Fakültesi